成長初期工程のZn照射によるサファイアr,S面ナノファセット基板上の(110)配向ZnTe薄膜の双晶抑制

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-065

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Twins suppression of (110) oriented ZnTe thin film on sapphire r-plane and S-plane nano-facet substrates by Zn pre-exposure at the initial stage of the growth

著者名: 坂本悠哉（早稲田大学）,小林昇太郎（早稲田大学）,細井菜々乃（早稲田大学）,安藤達也（早稲田大学）,杉本昂大（早稲田大学）,坪井海人（早稲田大学）,小林正和（早稲田大学）

著者名(英語): Yuya Sakamoto (Waseda University),Shotaro Kobayashi (Waseda University),Nanano Hosoi (Waseda University),Tatsuya Ando (Waseda University),Kota Sugimoto (Waseda University),Kaito Tsuboi (Waseda University),Masakazu Kobayashi (Waseda University)

キーワード: 半導体|結晶成長|テルル化亜鉛|サファイア|ナノファセット構造|極点図|semiconductor|crystal growth|zinc telluride|sapphire|nano facet structure|pole figure

要約(日本語): テラヘルツ波デバイスへの応用に向け、サファイア基板上に(110)配向のZnTe薄膜の作製を目指し、傾斜角をつけたサファイアr,S面ナノファセット基板上にMBE法を用いてZnTe薄膜を作製した。今回、成長初期工程にZn照射を導入し、基板上に形成された ZnTe 成長核の脱離を抑制しつつ、成長核の終端原子をZnに統一することにより、Sナノファセット面上に形成されたZnTe(111)の双晶抑制を試みた。また、極点図法によりサファイアS面上のZnTe薄膜の配向の種類や程度を評価した。その結果、成長初期工程のZn照

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 639 Kバイト