AgGaTe2薄膜作製におけるAg2Te中間層の膜質がAgGaTe2のストイキオメトリに与える影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-067

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Effect of Ag2Te intermediate layer on stoichiometry of AgGaTe2 thin film

著者名: 辻杏奈（早稲田大学）

著者名(英語): Anna Tsuji (Waseda University)

キーワード: AgGaTe2薄膜|近接昇華法|RFマグネトロンスパッタ法|ストイキオメトリ|X線回折θ-2θ法|AgGaTe2 thin film|closed space sublimation|RF magnetron sputtering|stoichiometry|X ray diffraction θ-2θ method

要約(日本語): 我々はAgGaTe2太陽電池の開発に向けMo電極膜上に近接昇華法によってAgGaTe2薄膜を作製してきた。過去の研究より第1段階としてMo電極膜上にスパッタ法によってAg2Te中間層を堆積させ、第2段階目に近接昇華法によってAg2TeとGa2Te3の混合粉末原料を堆積させることによって高品質なAgGaTe2薄膜が得られることが確認されている。本研究では第1段階目のAg2Te中間層作製時の放電圧力を制御することでAgGaTe2からストイキオメトリがずれた副生成物の形成を抑えることを試みた。X線回折&thet

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 569 Kバイト