ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いたフタロシアニン誘導体塗布薄膜の界面物性評価
ケルビンプローブフォース顕微鏡を用いたフタロシアニン誘導体塗布薄膜の界面物性評価
カテゴリ: 全国大会
論文No: 2-071
グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集
発行日: 2021/03/01
タイトル(英語): Kelvin Probe Study on Interface Properties of Solution-Processed Phthalocyanine Derivative Thin Film
著者名: 正能拓馬(大阪大学),石裏遼(大阪大学),有田誠(九州大学),須藤孝一(大阪大学),藤井彰彦(大阪大学),尾﨑雅則(大阪大学)
著者名(英語): Takuma Shono (Osaka University),Ryo Ishiura (Osaka University),Makoto Arita (Kyushu University),Koichi Sudoh (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University),Akihiko Fujii (Osaka University),Masanori Ozaki (Osaka University)
キーワード: ケルビンプローブフォース顕微鏡|フタロシアニン誘導体|界面物性|表面電位|バンド曲がり|真空準位シフト|Kelvin Probe Force Microscope|Phthalocyanine Derivative|Interface Properties|Surface Potential|Band Bending|Vacuum level shift
要約(日本語): 溶液プロセスによって作製された有機半導体薄膜と電極材料との界面物性の解明のため,安定性に優れたn-Si及びHOPG基板上に分子ステップ・テラス構造を有するアルキルフタロシアニン(C6PcH2)単結晶塗布薄膜を作製し,ケルビンプローブ顕微鏡を用いて分子層ごとの表面電位を測定した.n-Siとの表面電位差は膜厚と共に増大し,C6PcH2のフェルミ準位は−4.7 eVと推定された. また,n-Siと等価な仕事関数を示すHOPG基板を用いたところ,同様の表面電位変化を示した.このことから,有機半導体塗布
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 693 Kバイト
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