ガードリングにNwellを用いたCMOS_APDの高耐圧化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-008

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): High voltage protection avalanche photodiode using n-well guard ring with a standard CMOS process

著者名: 北村樹麗（長野工業高等専門学校）,高橋青（長野工業高等専門学校）,淀優介（長野工業高等専門学校）,秋山正弘（長野工業高等専門学校）

著者名(英語): Kirara Kitamura (National Institute of Technology (KOSEN), Nagano College),Jo Takahashi (National Institute of Technology (KOSEN), Nagano College),Yusuke Yodo (National Institute of Technology (KOSEN), Nagano College),Masahiro Akiyama (National Institute

キーワード: APD|CMOSプロセス|N-well|ガードリング|高耐圧化|ブレークダウン電圧|APD|CMOS process|N-well|Guard ring|High withstanding|Breakdown voltage

要約(日本語): 近年、様々な分野で小型・高感度な分光技術が必要とされている。我々は分光イメージセンサとして、増倍率の波長依存特性を利用した、CMOS_APDを用いた分光を提案してきた。しかし、我々が製作したCMOS_APDはブレークダウン電圧が低い、という欠点があった。そこで、CMOS_APDの構造を変形することで、ブレークダウン電圧を高くし、高耐圧化されたCMOS_APDを製作することにした。本研究では、ブレークダウン電圧の上昇に有用とされるガードリングを、Nwellを用いて製作し、高耐圧化が可能であるか検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 434 Kバイト