TOIウェハを用いた表面マイクロマシニング

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-134

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Surface micromachining using a Titanium-On-Insulator wafer

著者名: 長谷川穂高（新潟大学）,守屋赳利（新潟大学）,土田和弥（新潟大学）,寒川雅之（新潟大学）,安部隆（新潟大学）

著者名(英語): Hodaka Hasegawa (Niigata University),Taketoshi Moriya (Niigata University),Kazuya Tsuchida (Niigata University),Masayuki Sohgawa (Niigata University),Takashi Abe (Niigata University)

キーワード: チタン|犠牲層エッチング|構造|MEMS|PDMS|titanium|sacrificial layer etching|structure|MEMS|PDMS

要約(日本語): 本研究では、TiとTiを柔軟な材料であるPDMSを介して接合した基板(TOI、Titanium-On-Insulator)を用いて、PDMS層の犠牲層エッチングを行った。TOIウェハはSOI（Sillicon-On-Insulator）ウェハに対応するもので、耐衝撃性を有しながらフレキシブルであるSOIウェハにない特徴を有する。エッチャントにはNMPを溶媒とした25％のTBAF溶液を使用した。 TOIウェハのエッチングの結果、エッチャントが非プロトン性であるため、PDMSのみを選択的に除去し、Tiを腐食し

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 373 Kバイト