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0.8µm CMOSプロセスを用いた静電容量式MEMS加速度センサ

0.8µm CMOSプロセスを用いた静電容量式MEMS加速度センサ

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-147

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Capacitive MEMS accelerometers using 0.8µm CMOS process

著者名: 清水優作(東京電機大学),小松聡(東京電機大学)

著者名(英語): Yusaku Shimizu (Tokyo Denki University),Satoshi Komatsu (Tokyo Denki University)

キーワード: 加速度センサ|CMOS微小電気機械システム|Accelerometer|CMOS micro electro mechanical systems(MEMS)

要約(日本語): 現在MEMS加速度センサは自動車やスマートフォンなど様々な製品に応用されているが、それらの高機能化・多機能化に伴いコスト削減や高集積化のために小型化が要求されている。本研究では、CMOSプロセスを用いて1軸と2軸の静電容量式加速度センサの設計を行い、Post CMOSプロセスを用いて製作する。Post CMOSプロセスを用いることでCMOS LSIとの親和性が高くなるため、センサと回路を同一基板上に製作することも容易となる。加速度センサの設計にはオンセミコンダクター社の0.8µm CMOSプロ

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 465 Kバイト

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