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CMOSプロセスを用いたMEMS加速度センサの感度見積り

CMOSプロセスを用いたMEMS加速度センサの感度見積り

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-148

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Sensitivity Estimation of MEMS Accelerometer fabricated with CMOS process

著者名: 上村直義(東京電機大学),小松聡(東京電機大学)

著者名(英語): Naoki Uemura (Tokyo Denki University),Satoshi Komatsu (Tokyo Denki University)

キーワード: 加速度センサ|MEMS|CMOSプロセス|Accelerometer|MEMS|CMOS Process

要約(日本語): MEMS加速度センサはウェアラブルデバイスでの転倒検知や自動車の自動運転など、幅広い分野で用いられており、これらの高性能化や小型化に伴い、搭載されるセンサにも小型化が要求されている。集積回路用であるCMOSプロセスを用いることで、微細パターンを高い信頼性で形成でき、小型化が実現可能である他、センサとCMOS回路との集積が容易となる。本研究ではCMOSプロセスを用いて静電容量式MEMS加速度センサを設計し、ポストプロセスにて加速度センサを製作する。また、設計にはオンセミコンダクター社の0.8μm CM

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 480 Kバイト

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