SiC-MOSFET, GaN-HEMTに適用可能なユニバーサルデバイスモデルの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-001

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Development of Universal Device Model for SiC-MOSFET and GaN-HEMT device

著者名: 中嶋純一（三菱電機）,堀口剛司（三菱電機）,浦壁隆浩（東京工業大学）,萩原誠（東京工業大学）

著者名(英語): Junichi Nakashima (Mitsubishi Electric),Takeshi Horiguchi (Mitsubishi Electric),Takahiro Urakabe (Tokyo Institute of Technology),Makoto Hagiwara (Tokyo Institute of Technology)

キーワード: デバイスモデル|シリコンカーバイド|酸化ガリウム|device model|SiC|GaN

要約(日本語): 近年、省エネルギー化・高密度化のため、電力変換装置へのSiCデバイスやGaNデバイスの適用が進んでおり、電力変換回路設計のフロントローディング化に向けた回路シミュレーション用デバイスモデルのニーズが高まっている。特に、デバイス品種の増大により、デバイスモデルの開発加速化が重要である。そこで、汎用性と開発加速を目指したユニバーサルデバイスモデルの開発を行っている。本報告では、定格電流・電圧、パッケージ形態が異なるSiC-MOSFETとGaN-HEMTを対象としたユニバーサルデバイスモデルの順方向特性について

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 574 Kバイト