SiC-遮蔽グリッドVJFETのシミュレーション

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Device Simulation of SiC Screen Grid Vertical JFET

著者名: 小林聖尚（山梨大学）,矢野浩司（山梨大学）

著者名(英語): Kiyotaka Kobayashi (University of Yamanashi),Koji Yano (University of Yamanashi)

キーワード: SiC|接合型FET|ワイドバンドギャップ|デバイスシミュレーション|SiC|JFET|Wide bandgap|Device Simulation

要約(日本語): SiC-遮蔽グリッド縦型接合電界効果トランジスタ(SiC-SGVJFET)はゲート・ドレイン電極間にp型の遮蔽グリッド(Screen grid : SG)を設置し，帰還容量Crssを低減し，VJFETのスイッチング性能を改善できる．本研究では，シミュレーションによりSGVJFETの効果を解析し，スイッチング時にゲート端子及びSG端子での電流波形を調査した結果，SGが無い埋込ゲート静電誘導トランジスタ(BGSIT)と比較してゲート及びSGの両端子でのゲート・ドレイン間に存在する空乏層容量の短時間の充放電が実

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 491 Kバイト