GaN-FETを用いた4in1-モジュールの試作評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-003

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Evaluation study of 4in1 GaN-FET module

著者名: 伊藤秀一（富士通ゼネラルエレクトロニクス）,宮内雄志（富士通ゼネラルエレクトロニクス）,菊池秀和（富士通ゼネラルエレクトロニクス）,後藤友彰（富士通ゼネラルエレクトロニクス）

著者名(英語): Shuichi Ito (FUJITSU GENERAL ELECTRONICS Power Module Management Department),Yuji Miyauchi (FUJITSU GENERAL ELECTRONICS Power Module Management Department),Hidekazu Kikuchi (FUJITSU GENERAL ELECTRONICS Power Module Management Department),Tomoaki Goto (FUJ

キーワード: パワーモジュール|GaN-FET|Power module|GaN-FET

要約(日本語): パワーエレクトロニクスに省エネルギー化が求められて久しくSiより物理的特性に優れるSiCやGaNベースのパワーデバイス開発が盛んである。この様な背景の中、GaN-FETのPFCやDC/DCコンバータ等への応用が進むが、そのパッケージはディスクリートが主流であり、パワーモジュール、特に駆動回路を搭載した所謂IPMの製品化例は殆ど無い。そこでGaN-FETを用いた4in1-IPMを試作し評価を実施した。モジュールの電気的・熱的特性は共に、同チップを搭載したディスクリート品に比べ同等以上の性能を確認。またモジュ

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 451 Kバイト