熱応力シミュレーションを用いた1.2 kV SBD内蔵SiC トレンチMOSFET(SWITCH-MOS)の負荷短絡耐量解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-004

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Investigation of Short-circuit Withstanding Capability in 1.2 kV SBD-embedded SiC trench MOSFETs(SWITCH-MOS) Using Mechanical Stress Simulations

著者名: 柏佳介（筑波大学）,松井ケビン（筑波大学）,餐場塁士（筑波大学）,馬場正和（産業技術総合研究所）,原田信介（産業技術総合研究所）,矢野裕司（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）

著者名(英語): Keisuke Kashiwa (Univercity of Tsukuba),kevin matsui (Univercity of Tsukuba),Ruito Aiba (Univercity of Tsukuba),masakazu Baba (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shinsuke Harada (National Institute of Advanced Industrial Sci

キーワード: SiC-MOSFET|熱応力|負荷短絡耐量|SiC-MOSFET|Mechanical Stress|Short-circuit Withstanding Capability

要約(日本語): 低ドレイン電圧Vdd = 400 V印加時の負荷短絡試験において、Schottky Barrier Diode(SBD)を内蔵した1.2 kV 耐圧SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)と市販のSiCトレンチMOSFET(Device A )は異なるメカニズムで破壊することが分かった。Device A は素子内温度上昇による引っ張り応力により層間絶縁膜に発生するクラックとその後の溶融アルミの浸透によるゲート・ソース間短絡で破壊するのに対し、SWITCH-MOSは上記クラックが発生する前に、SB

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 523 Kバイト