高ショットキー障壁金属を適用した1.2 kV SBD内蔵SiCトレンチMOSFETのスイッチング特性評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-005

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Investigation of Characteristics in 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET (SWITCH-MOS) with Higher Schottky Barrier Height Metal

著者名: 松井ケビン（筑波大学）,饗場塁士（筑波大学）,柏佳介（筑波大学）,馬場正和（産業技術総合研究所）,原田信介（産業技術総合研究所）,矢野裕司（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）

著者名(英語): Kevin Matsui (University of Tsukuba),Ruito Aiba (University of Tsukuba),Keisuke Kashiwa (University of Tsukuba),Masakazu Baba (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Shinsuke Harada (National Institute of Advanced Industrial Sci

キーワード: SiCトレンチMOSFET|SBD|スイッチング|ユニポーラ動作|Ni|n-CS|SiC Trench MOSFET|SBD|Switching|Unipolar operation|Ni|n-CS

要約(日本語): SBD内蔵SiCトレンチMOSFET(SWITCH-MOS)は、順方向電圧特性劣化の改善だけでなく、低オン抵抗特性ならびにターンオン損失の低減を同時に実現している。しかしながら、内蔵SBDからのもれ電流により、通常のSiCトレンチMOSFETに比べ負荷短絡耐量が小さいという課題がある。この負荷短絡耐量の課題を解決するためにショットキー障壁の高いニッケル（Ni）をSBDに適用したSWITCH-MOSが試作され、負荷短絡耐量の向上が確認された。本研究では、Ni-SBDを内蔵した SWITCH-MOSの電気特性

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 793 Kバイト