走査型プローブ顕微鏡を用いたSiC製パワー半導体デバイスのナノスケール観測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-006

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Nanoscale Observation of SiC Power Semiconductor Device by Scanning Probe Microscope

著者名: 土井敦史（千葉工業大学）,田中一光（千葉工業大学）,佐藤宣夫（千葉工業大学）,山本秀和（千葉工業大学）

著者名(英語): Atsushi Doi (Chiba Institute of Technology),Ikko Tanaka (Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh (Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto (Chiba Institute of Technology)

キーワード: 走査型プローブ顕微鏡|パワー半導体デバイス|ワイドギャップ半導体|モスフェット|走査型容量原子間力顕微鏡|scanning probe microscope|power semiconductor device|wide bandgap semiconductor|mosfet|scanning capacitance force microscope

要約(日本語): パワー半導体デバイスは，高性能化に伴いデバイス内部構造が複雑化し，副次的にデバイス評価・解析が困難になるという課題がある．永続的なデバイス開発において，デバイス評価解析技術の確立が肝心であり，高い空間分解能と好感度検出を実現する走査型プローブ顕微鏡技術に期待されている．本報告では，パワー半導体デバイスの材料組成や内部構造の制約を問わずに，観測ができるSPM装置を開発し，得られた評価結果を報告する．具体的には，市販のパワー半導体デバイスを切削・研磨することでデバイス内部を断面露出させ，電圧印加によるデバイス

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 657 Kバイト