SiCパワー半導体デバイスの焼結銀実装による低熱抵抗化に関する一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-007

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): A Study on Thermal Resistance Reduction by Ag-sintered Die Attach for SiC Power Semiconductor Devices

著者名: 高橋将太（大阪大学）,杉原英治（大阪大学）,福永崇平（京都大学）,舟木剛（大阪大学）

著者名(英語): Shota Takahashi (Osaka University),Hideharu Sugihara (Osaka University),Shuhei Fukunaga (Kyoto University),Tsuyoshi Funaki (Osaka University)

キーワード: 焼結銀|加圧焼結|構造関数|シャー強度|Ag-sintered|press-sintered|structure function|shear strength

要約(日本語): 高温動作が期待されるパワー半導体デバイスのダイボンド材料として、銀ナノペーストに着目し、SiC-SBD(3mm×3mm)を銅基板へ焼結実装する際の実装条件(加圧力、加熱条件)が接合強度に与える影響について検討した。チップ裏面、基板の表面加工は行わず、大気雰囲気下で実装を行った。シャー強度試験において、加圧焼結実装の場合、加圧力10MPa、実装開始時温度200℃の条件ではんだ(Sn-Ag-Cu)実装と同等の接合強度が得られた。また、実装したSiC-SBDの過渡熱抵抗を評価し、従来のはんだと比較し

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 802 Kバイト