GaN向けデジタルゲートドライバICによる損失の69%減と電流オーバーシュートの60%減

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-009

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Digital Gate Driver IC for GaN Achieving 69 % Reduction of Switching Loss and 60 % Reduction of Current Overshoot

著者名: 堅田龍之介（東京大学）,畑勝裕（東京大学）,山内善高（東京大学）,王廷維（国立交通大学）,森川隆造（東京大学）,呉承軒（東京大学）,崔通（東京大学）,陳柏宏（国立交通大学）,高宮真（東京大学）

著者名(英語): Katada Ryunosuke (The University of Tokyo),Hata Katsuhiro (The University of Tokyo),Yamauchi Yoshitaka (The University of Tokyo),Wang Ting-Wei (National Chiao Tung University),Morikawa Ryuzo (The University of Tokyo),Wu Cheng-Hsuan (The University of Toky

キーワード: ゲートドライバ|窒化ガリウム|ターンオン|スイッチング損失|電流オーバーシュート|Gate Driver|Gallium Nitride|Turn On|Switching Loss|Current Overshoot

要約(日本語): GaN FETは低いオン抵抗と高速スイッチングが可能なパワーデバイスであるが、その高速性によってスイッチング時に大きな電圧・電流オーバーシュートが発生する問題がある。一般に、スイッチング損失（ELOSS）と電流オーバーシュート（IOVERSHOOT）はトレードオフの関係にある。デジタルゲートドライバ（DGD）を用いて、ELOSS及びIOVERSHOOTの両方を削減する報告があるが、GaN向けのDGDでは、DGDのパラメータが手動で調整されており最適動作が実現されていない。そこで、本報告では、GaN向けに開

原稿種別: 日本語

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