単一の電源と制御信号でマルチレベルのゲート電圧制御が可能なGaN HEMT 向けゲートドライバ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-010

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): A Multilevel Gate Driver with a Single Voltage Supply and a Control Signal for GaN HEMT

著者名: 高橋岳大（京都工芸繊維大学）,長尾詢一郎（京都工芸繊維大学）,古田潤（京都工芸繊維大学）,小林和淑（京都工芸繊維大学）

著者名(英語): Takehiro Takahashi (Kyoto Institute of Technology),Junichiro Nagao (Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta (Kyoto Institute of Technology),Kazutoshi Kobayashi (Kyoto Institute of Technology)

キーワード: パワーエレクトロニクス|GaN HEMT|ゲートドライバ|power electronics|GaN HEMT|gate driver

要約(日本語): 近年、GaN HEMTを電力変換回路に用いることで、回路の小型軽量化、高効率化を実現できることが期待されている。一方で、GaN HEMT には誤点弧が生じやすく、還流動作時の逆導通損失も大きいなど、従来のSi デバイスにはない課題を持つ。従来手法では、負電圧でGaN HEMT を駆動することで誤点弧を防ぐが、追加の電圧源が必要なため回路面積が増大するほか、逆導通損失増大の原因となる。本稿では、単一の電源と制御信号でマルチレベルのゲート電圧制御するGaN HEMT 向けゲートドライバをダブルパルス試験により

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 358 Kバイト