近接配線によるゲート電圧保持現象の検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-012

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Verification of Gate Voltage Holding Phenomenon by Proximity Wiring

著者名: 松本瀬名（舞鶴工業高等専門学校）,七森公碩（舞鶴工業高等専門学校）

著者名(英語): Sena Matsumoto (National Institute of Technology Maizuru College),Kimihiro Nanamori (National Institute of Technology Maizuru College)

キーワード: GaN|近接配線|電圧保持現象|誤点弧ロック現象|GaN|proximity wiring|voltage holding phenomenon|locked false turn-on phenomenon

要約(日本語): GaNデバイスを高周波電力変換器へ適応する際に，ゲート電圧が保持される現象が確認されている。この電圧保持現象は，スイッチング速度やスイッチング損失の増加を招くため高周波電力変換器実現の障壁となっている。主たる要因はゲート配線のインダクタンスにあることが確認されているが，ケルビンソースを用いることでインダクタンスを低減可能であると考えられている。しかしながら，ケルビンソース端子とソース端子が近傍に配置されていることの影響は考慮されていない。そのため本研究では，ゲート配線近傍に存在する主回路配線の影響を検証す

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 462 Kバイト