SiC-MOSFETの2並列接続を対象としたケルビン接続を用いた電流バランス

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-013

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Current Balance using Kelvin Connection for Two SiC-MOSFETs Connected in Parallel

著者名: 舩木雄大（東京都立大学）,和田圭二（東京都立大学）

著者名(英語): Yudai Funaki (Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada (Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 電流バランス|ケルビン接続|並列接続|SiC-MOSFET|Current balance|Kelvin connection|Parallel connection|SiC-MOSFET

要約(日本語): 近年，電力変換回路の大電流化が進んでいる。大電流用途ではパワーデバイスの並列接続は必要不可欠となる。並列接続の場合，電流アンバランスが発生するとデバイスの損失に偏りが生じて最悪の場合デバイスの破壊に繋がるおそれがあるために，パワーデバイス並列接続時の電流アンバランスが課題となっている。スイッチング時の電流アンバランスは，寄生インダクタンスやパワーデバイス間の特性差によって主に引き起こされる。本稿では，配線構造によるソース側寄生インダクタンスのばらつき時に，ケルビン接続を用いたゲート駆動により電流バランス可

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 963 Kバイト