GaN素子を用いた7レベルフライングキャパシタ方式インバータの実機検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-017

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Experimental Verification of 7 Level Flying Capacitor Inverter with GaN Devices

著者名: 松井優人（富士電機）,藤田悟（富士電機）,丸山宏二（富士電機）,山田隆二（富士電機）

著者名(英語): Yuto Matsui (Fuji Electric),Satoru Fujita (Fuji Electric),Koji Maruyama (Fuji Electric),Ryuji Yamada (Fuji Electric)

キーワード: マルチレベル|フライングキャパシタ|GaN素子|multilevel|flying capacitor|GaN　Device

要約(日本語): 近年、EV等の移動体の電動化が進展しており、搭載する電源の小型・薄型化が要求されている。フライングキャパシタ方式マルチレベル回路は、回路の高周波化により大幅な小型化が期待できる。そこで、高速駆動可能で低損失なGaN素子を用いた7レベルフライングキャパシタ方式三相インバータ回路基板を試作し、実機検証により正常な動作波形が得られるか確認した。 試作回路基板のサイズは1相あたり48mm×166mm×23.8mm、回路基板の電力密度は17.6kW/Lである。試作回路基板において、直流電圧

原稿種別: 日本語

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