プリント基板の寄生成分の考慮によるパワーエレクトロニクス・シミュレーションの高精度化

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-071

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Improvement of Power Electronics Simulation Accuracy by Considering Parasitic Components of Printed Circuit Board

著者名: 小林英幸（RITAエレクトロニクス）,田中顕裕（RITAエレクトロニクス）,小原秀嶺（横浜国立大学）,河村篤男（横浜国立大学）

著者名(英語): Hideyuki Kobayashi (RITA Electronics),Akihiro Tanaka (RITA Electronics),Hidemine Obara (Yokohama National University),Atsuo Kawamura (Yokohama National University)

キーワード: プリント基板|寄生成分|シミュレーション|スイッチング損失|SiC-MOSFET|HEECS|printed circuit board|parasitic component|simulation|switching loss|SiC-MOSFET|HEECS

要約(日本語): パワーエレクトロニクスの分野では、パワーデバイスのスイッチングの?速化と、スイッチング動作周波数の向上が進んでおり、インダクタンス、キャパシタンス、抵抗といった寄?成分の影響が顕在化するが、回路設計時にプリント基板の寄?成分を考慮することは少なく、またこれに関する詳細な報告はほとんどない。今回、プリント基板を含む?周波パワーエレクトロニクス回路のシミュレーションとして、SiC-MOSFETを?いた2電源HEECSチョッパ回路について電圧・電流波形を求め、スイッチング損失を算出し、実測と?較した。プリント基

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,103 Kバイト