高周波トランスの寄生容量設計

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-091

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Parasitic capacitance design of high-frequency transformer

著者名: 小林皓祐（岡山大学）,平木英治（岡山大学）,福本佳樹（ダイヘン）,池成達也（ダイヘン）,河野真吾（ダイヘン）

著者名(英語): Kobayashi Kosuke (Okayama University),Eiji Hiraki (Okayama University),Yoshiki Fukumoto (DAIHEN),Tatsuya Ikenari (DAIHEN),Shingo Kawano (DAIHEN)

キーワード: 高周波トランス|寄生容量|絶縁トランス|高電圧電源|high-frequency transformer|parasitic capacitance|Isolation transformer|High voltage power supply

要約(日本語): スイッチング電源の高電圧化・高周波化に向けて，トランスの結合係数と寄生容量のトレードオフ関係の打破が求められている。本稿では内鉄型トランスを想定し，最も容量が寄生しやすいと考えられる巻線部の寄生容量を同心円筒コンデンサに模擬することでボビンによってこの寄生容量を設計，低減する。軸の太さや巻線部の高さの異なる複数のボビンを作製，それを用いたトランスを作製しLCRメータで寄生容量，結合係数の計測を行った。その結果，結合係数を維持したまま容量を低減できることを確認し，このトレードオフ関係が打破しうることを示した

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 370 Kバイト