SiC MOSFET を用いた13.56MHz E級インバータの作製と動作評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-094

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Fabrication and performance evaluation of 13.56MHz class E inverter with SiC MOSFET

著者名: 關翔太（大阪大学）,舟木剛（大阪大学）

著者名(英語): Shota Seki (Osaka University),Tsuyoshi Funaki (Osaka University)

キーワード: SiC|E級|13.56MHz|高周波|ソフトスイッチング|インバータ|SiC|class E|13.56MHz|high frequency|soft switching|inverter

要約(日本語): ワイヤレス充電などに用いられる高周波インバータは10MHz以上でスイッチングを行うため、スイッチング損失の増加が大きな問題となる。本稿ではターンオン時の電圧及び電圧の時間変化率を0とすることによって、スイッチング損失を低減可能なE級スイッチングを適用したE級インバータをSiC MOSFETを用いて作製した。MOSFETのターンオフ時間を考慮したE級インバータの主回路設計及びゲート駆動を高速化するドライバ回路設計を行うことで、駆動周波数13.56MHzでのE級スイッチングを実現した。開発した回路は効率92.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 555 Kバイト