SiC-MOSFETによる10MHz昇圧チョッパの検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-095

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Verification of a 10MHz boost chopper using SiC-MOSFET

著者名: 高久佳雅（金沢工業大学）,吉田勇人（金沢工業大学）,中田修平（金沢工業大学）

著者名(英語): Takaku Yoshimasa (Kanazawa Institute of Technology),Hayato Yoshida (Kanazawa Institute of Technology),Shuhei Nakata (Kanazawa Institute of Technology)

キーワード: SiC-MOSFET|DC-DCコンバータ|高周波スイッチング|SiC-MOSFET|DC-DC Converter|High frequency switching

要約(日本語): SiC-MOSFETは高いゲート電圧が必要なため高周波動作の研究例は数少ない。そこで本稿ではSiC-MOSFETによる 10MHz昇圧チョッパについて検証したので結果について報告する。 GaN-HEMTを用いたSiC-MOSFET向けゲートドライバを試作し、+15V/-5Vでの10MHzのゲート駆動と4nsのゲート電圧の立上り、立下りを実現した。これを電流不連続モードの昇圧チョッパに適用した。ドレイン電圧の立ち上り時間は4.7ns、ドレイン電流の立下り時間は6.2nsであり、出力電力775W、10MHzス

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 741 Kバイト