SiC-MOSFETを用いた200kW-440kHz高周波誘導加熱電源の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-096

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Development of 200kW-440kHz Induction Heating Power Supply with SiC-MOSFET

著者名: 吉田春樹（高周波熱錬）,金井隆彦（高周波熱錬）,三阪佳孝（高周波熱錬）,李建徳（HISEN）,舟木剛（大阪大学）

著者名(英語): Haruki Yosida (NETUREN CO.,LTD.),Takahiko kanai (NETUREN CO.,LTD.),Yoshitaka Misaka (NETUREN CO.,LTD.),KenC.T.Lee (HISEN ENTERPRISES CO.,LTD.),Tsuyoshi Funaki (Osaka University)

キーワード: 高周波誘導加熱電源|SiC-MOSFET|寄生インダクタンス|2in1モジュール|Induction Heating Power Supply|SiC-MOSFET|Leakage inductance|2in1 module

要約(日本語): 2in1のSiC-MOSFETモジュールを使用し、400kHz級の誘導加熱電源を製作する場合にはモジュール内の寄生インダクタンス（Ls）の大きさが問題となってくる。Lsが大きいと素子オフ時のサージ電圧が高くなり、モジュール端子電圧とSiCチップ電圧との乖離が大きくなるからである。 このLsの評価を電源の動作に合致した方法で行い、高周波で大容量の誘導加熱電源を開発した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 519 Kバイト