並列接続されたSiC MOSFETモジュールの自律的素子温度均等化制御
並列接続されたSiC MOSFETモジュールの自律的素子温度均等化制御
カテゴリ: 全国大会
論文No: 4-098
グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集
発行日: 2021/03/01
タイトル(英語): Temperature control with automatic balancing for parallel connected SiC MOSFET modules
著者名: 河村恒毅(東芝インフラシステムズ),葛巻淳彦(東芝インフラシステムズ),松下晃久(東芝インフラシステムズ),餅川宏(東芝インフラシステムズ)
著者名(英語): Koki Kawamura (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions),Atsuhiko Kuzumaki (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions),Akihisa Matsushita (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions),Hiroshi Mochikawa (Toshiba Infrastructure Systems & S
キーワード: 並列|モジュール|SiC MOSFET|温度制御|parallel conected|module|SiC MOSFET|temperature control
要約(日本語): パワー半導体モジュールを並列接続して使用する際、素子特性や冷却の不均衡があると、特定のモジュールに電流が集中して破壊に至るおそれがある。電流不均衡は温度不均衡が一因であるが、素子特性や冷却の不均衡によらず、モジュール内温度を自律的に均等化する手法を開発したので、その成果を発表する。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 954 Kバイト
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