SiC-MOSFET直列接続時における電圧バランス回路

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-099

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): The voltage balance circuit for SiC-MOSFET series connection

著者名: 松下晃久（東芝インフラシステムズ）,葛巻淳彦（東芝インフラシステムズ）,餅川宏（東芝インフラシステムズ）

著者名(英語): Akihisa Matsushita,Atsuhiko Kuzumaki,Hiroshi Mochikawa

キーワード: 直列接続|SiC|MOSFET|series connection|SiC|MOSFET

要約(日本語): SiC-MOSFETを直列に接続すると，素子特性のばらつきにより直流電圧やターンオフのサージ電圧などに電圧アンバランスが発生するため，素子特性を十分に活用できない。これに対して，簡易な受動回路によるバランス回路を提案する。3.3kVのSiC-MOSFETを用いた2直列での試験を実施し，ターンオフ時のサージ電圧について，バランスが取れることを確認した。これにより，制御無しで簡易に直列接続が可能であることを，試験により確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 344 Kバイト