GAに基づくSiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の最適化に関する一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-100

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): A Study on Optimizing Waveform of Digital Active-Gate Driving for SiC MOSFET Using Genetic Algorithm

著者名: 福永崇平（京都大学）,高山創（京都大学）,引原隆士（京都大学）

著者名(英語): Shuhei Fukunaga (Kyoto University),Hajime Takayama (Kyoto University),Takashi Hikihara (Kyoto University)

キーワード: SiC MOSFET|アクティブゲートドライブ|ディジタルアクティブゲートドライバ|遺伝的アルゴリズム|SiC MOSFET|Active gate driving|Digital active gate driver|Genetic algorithm

要約(日本語): 高電圧の電力変換回路にSiCユニポーラデバイスを適用することで, 高速スイッチングが可能となり, 低損失化できる. しかし高速スイッチングは, 回路基板やパワーモジュール内部の寄生インダクタンスとの相互作用により, 大きなスイッチングサージ電圧を生じる. スイッチングサージ電圧を抑制する方法として, パワーデバイスのミラー効果を考慮した, アクティブゲートドライブ方式がある. 著者らはゲートドライブ方式の完全ディジタル化を目指し, ディジタルアクティブゲートドライバ（DAGD）を提案している. 本報告では

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 663 Kバイト