SiC MOSFETにおけるゲート-ソース間閾値電圧の温度依存性がスイッチングデッドタイムに与える影響の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-101

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): A Study for an Influence of Temperature Dependency in Gate-Source Threshold Voltage of SiC MOSFET on its Switching Deadtime

著者名: 二社谷一樹（大阪大学）,井渕貴章（大阪大学）,舟木剛（大阪大学）

著者名(英語): Kazuki Nishatani (Osaka University),Takaaki Ibuchi (Osaka University),Tsuyoshi Funaki (Osaka University)

キーワード: SiC MOSFET|スイッチングデッドタイム|ダブルパルス試験|SiC MOSFET|switching deadtime|double-pulse test

要約(日本語): SiC MOSFETは高耐圧と低導通抵抗を両立させることでSi IGBTに置き換わるデバイスとして期待され，すでに自動車や電車で搭載され始めている．MOSFETを用いた同期整流回路やインバータ回路は，直列に接続され相補的に駆動される2つのデバイスが同時にオンし短絡することを防ぐためデッドタイムを設ける必要がある．本稿では，SiC MOSFETの電流-電圧特性における温度依存性がドレイン電流の立ち上がり・下がりの特性に及ぼす影響について電流-電圧特性測定およびダブルパルス試験をもとに評価し，デッドタイムの温

原稿種別: 日本語

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