商品情報にスキップ
1 1

SiC MOSFETを用いた磁気ハイパーサーミア用高周波電源回路の液体窒素中動作の可能性検討

SiC MOSFETを用いた磁気ハイパーサーミア用高周波電源回路の液体窒素中動作の可能性検討

通常価格 ¥440 JPY
通常価格 セール価格 ¥440 JPY
セール 売り切れ
税込

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-104

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Examination of High Frequency Power Supply Using SiC MOSFETs for Magnetic Hyperthamia with Liquid Nitrogen Cooling

著者名: 津田拓也(明治大学),許航(明治大学),野村新一(明治大学)

著者名(英語): Takuya Tsuda (Meiji University),Hang Xu (Meiji University),Shinichi Nomura (Meiji University)

キーワード: 高周波|電源回路|SiC MOSFET|極低温|high frequency|power supply circuit|SiC MOSFETs|very low temperature

要約(日本語): がんの温熱療法の1つに磁性粒子をがん細胞に誘導し、外部の電磁石によりがん細胞を死滅させる磁気ハイパーサーミアがある。磁気ハイパーサーミアの概念設計、小型化モデル設計より、コイルを励磁するための電源装置には最大電流:174 A、電源電圧:7.2 kV、動作周波数:200 kHzという仕様が要求される。一般的に大容量の電源はスイッチング素子の耐圧容量増加のため直列接続を用い、電流容量増加のため並列接続を行っている。本研究はスイッチング素子の個数を減らすため、液体窒素の極低温環境と常温環境におけるスイッチング素

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 528 Kバイト

販売タイプ
書籍サイズ
ページ数
詳細を表示する