SiC-MOSFETによる低圧直流大電流遮断過程と限流部端子間電圧・遮断部接合部温度上昇の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-040

グループ名: 【全国大会】令和3年電気学会全国大会論文集

発行日: 2021/03/01

タイトル(英語): Low-Voltage DC High Current Interrupting Process with SiC-MOSFET and Evaluation of Inter-Terminal Voltage of Limiting Part and Junction Temperature Rise of Interrupting Part

著者名: 渡邉幹太（名古屋大学）,横水康伸（名古屋大学）,小椋陽介（名古屋大学）,小川拓真（名古屋大学）

著者名(英語): Kanta Watanabe (Nagoya University),Yasunobu Yokomizu (Nagoya University),Yosuke Ogura (Nagoya University),Takuma Ogawa (Nagoya University)

キーワード: 遮断器|低圧直流大電流|SiC-MOSFET|限流|等価熱回路|数値シミュレーション|Circuit breaker|Low-voltage DC high current|SiC-MOSFET|Current limiting|Equibalent thermal circuit|Numerical simulation

要約(日本語): 筆者らはIGBTやSiC-MOSFETを用いた低圧直流モデル遮断器を試作し，その特性評価を行ってきた。また，近年は数値シミュレーションによる遮断特性の解明を試みており，限流抵抗を具備したモデル遮断器に関して，電源電圧120V，突入電流2000Aにおける遮断特性を示してきた。本報告では，電源電圧を380Vに設定し，過電流検出値を130A，100A，60Aと変化させ，突入電流の遮断過程を計算した。また，遮断特性として，SiC-MOSFET素子の端子間電圧および接合部温度上昇を評価している。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 534 Kバイト