RFバイアス付き誘導結合プラズマにおける容量結合

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-052

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Modeling of capacitive coupling in inductively coupled plasma with RF bias

著者名: GanachevIvan（芝浦メカトロニクス）,中野晴香（芝浦メカトロニクス）,中村圭二（中部大学）

著者名(英語): Ivan Ganachev (Shibaura Mechatronics),Haruka Nakano (Shibaura Mechatronics),Keiji Nakamura (Chubu University)

キーワード: プラズマ|容量結合|誘導結合|エッチング|フォトマスク|位相差|plasma|capacitively coupled|inductively coupled|etching|photo mask|phase difference

要約(日本語): RFバイアス付きICPにおいて，アンテナとバイアスの干渉が知られてうて，位相差を360°を変えると2種類（一瘤および二瘤）の特性がでて，後者は容量結合対策を講じた場合しか出ない。一方，今までの我々の解析は二瘤特性しか出ていなかった。二瘤特性の原因は容量結合と仮説し，プラズマ解析で検証した。

本誌掲載ページ: 70-71 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 395 Kバイト