ループ型Ar/N2誘導熱プラズマを用いたTi基板表面二次元窒化に対する基板掃引速度依存性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-092

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル：ループ型Ar/N₂誘導熱プラズマを用いたTi基板表面二次元窒化に対する基板掃引速度依存性

タイトル(英語): Influence of Scannig Speed on Two-dimentional Nitridation of Ti Substrate Surface by Exposure of Ar/N₂ Loop Type of Inductively Coupled Thermal Plasmas

著者名: 原弘也（金沢大学）,杉山祐樹（金沢大学）,田中康規（金沢大学）,中野裕介（金沢大学）,石島達夫（金沢大学）,幸本徹哉（シー・ヴィー・リサーチ）,川浦廣（シー・ヴィー・リサーチ）

著者名(英語): Hiroya Hara (Kanazawa University, Electric Power and Environment Laboratory),Yuki Sugiyama (Kanazawa University, Electric Power and Environment Laboratory),Yasunori Tanaka (Kanazawa University, Electric Power and Environment Laboratory),Yusuke Nakano (Kanazawa University, Electric Power and Environment Laboratory),Tastuo Ishijima (Kanazawa University, Electric Power and Environment Laboratory),Testuya Yukimoto (CV Research Corporation),Hiroshi Kawaura (CV Research Corporation)

キーワード: ループタイプ|誘導熱プラズマ|表面改質|二次元窒化|Loop type|Inductively coupled thermal plasmas|Surface modification|Two-dimentional nitridation

要約(日本語): 筆者らは熱プラズマによる大面積にわたる超高速表面改質を目指し，ループ型誘導熱プラズマ（Loop-ICTP）装置を開発している。この装置では，ループ型トーチを円型コイルにより挟み込み，トーチ面に垂直な交番磁界を印加して誘導熱プラズマを維持する。このループ型誘導熱プラズマの一部を基板上に直線に生成し，基板を垂直方向に掃引することにより二次元高速表面処理が可能となる。この二次元表面窒化においては，基板の掃引速度は，基板表面温度および窒素の拡散に影響すると考えられる。本報告では，掃引速度を変更してTi 基板表面の窒化処理を行い，照射後Ti 基板表面のXRD（X 線回析法）により窒化度を評価した。

本誌掲載ページ: 117-118 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,106 Kバイト