シリコーンゲルの帯電がチップ終端部の電界分布に与える影響

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-027

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Evaluation of the Effect on Electrical Characteristics of Semiconductor due to Space Charge in Silicone Gel Located on the Semiconductor Chip Termination

著者名: 岸本幸樹（三菱電機）,門脇和丈（三菱電機）,塩田裕基（三菱電機）

著者名(英語): Koki Kishimoto (Mitsubishi Electric Corporation),Kazutake Kadowaki (Mitsubishi Electric Corporation),Hiroki Shiota (Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 空間電荷|シリコーンゲル|半導体チップ|終端部|space charge|silicone gel|semikonductor chip|termination

要約(日本語): パワーモジュールに搭載される半導体チップでは，絶縁信頼性試験（HTRB: High Temperature Reverse Bias，THB: Temperature Humidity Bias）時の半導体チップ終端部における封止樹脂の空間電荷の蓄積（帯電）による影響が報告されている。そのため，パワーモジュールの絶縁信頼性向上のためには，半導体チップ終端部における封止樹脂の帯電分布及び帯電によるチップ電気特性への影響の解明が求められている。筆者らはこれまでに，半導体チップのデバイスシミュレーションソフトTCAD（Technology Computer Aided Design）を用いて半導体チップ終端部におけるシリコーンゲルの帯電分布を調査した結果を報告した。本報では，シリコーンゲル帯電時のチップ終端部の電界分布を，TCADを用いて調査したので報告する。

本誌掲載ページ: 29-30 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 367 Kバイト