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h-BN粒子の形状が静電吸着法を用いたtpPI/h-BNコンポジット絶縁材料の電気的特性に与える影響

h-BN粒子の形状が静電吸着法を用いたtpPI/h-BNコンポジット絶縁材料の電気的特性に与える影響

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-043

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Influence of h-BN Particle Configuration on Electrical Properties of tpPI/h-BN Composite Insulating Materials Produced by Electrostatic Adsorption Method

著者名: 一場悠仁(豊橋技術科学大学),川島朋裕(豊橋技術科学大学),穂積直裕(豊橋技術科学大学),村上義信(豊橋技術科学大学)

著者名(英語): Yujin Ichiba (Toyohashi University of Technology),Tomohiro Kawashima (Toyohashi University of Technology),Naohiro Hodumi (Toyohashi University of Technology),Yoshinobu Murakami (Toyohashi University of Technology)

キーワード: コンポジット|静電吸着法|熱可塑性ポリイミド|六方晶窒化ホウ素|絶縁破壊|Composite|Electrostatic Adsorption Method|Thermoplastic Polyimide|Hexagonal Boron Nitride|Breakdown

要約(日本語): 静電吸着法を用いた熱可塑性ポリイミド(tpPI)/配向六方晶窒化ホウ素(h-BN)コンポジット絶縁材料において,h-BN粒子の形状が電気的特性に与える影響について調査を行った。
高分子電荷質を用いてtpPI(D50:9μm)とh-BN粒子(45または12または13μm)の表面電荷の極性が相反するよう調整し,静電吸着させた後,遠心力等を用いてh-BN粒子を配向させ,ホットプレスし試料を作製した。30℃シリコーン油中にて直流絶縁破壊試験を実施し,直流絶縁破壊の強さ(DC-Fb)を測定した。
結果としてDC-Fbは45,12,13μmのh-BNを用いた試料の順に高くなる傾向を示した。12μmおよび13μmのh-BN粒子の厚さは45μmのそれと比べて小さくtpPI/h-BN界面における絶縁破壊経路となり得るパスが多くなったためと考えられる。

本誌掲載ページ: 45-46 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 821 Kバイト

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