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MBE成長させたSnTe薄膜の表面状態および電気伝導特性の評価

MBE成長させたSnTe薄膜の表面状態および電気伝導特性の評価

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-051

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Evaluation of the surface state and electrical properties of SnTe thin films grown by MBE

著者名: 蘇楠(早稲田大学),坪井海人(早稲田大学),小林昇太郎(早稲田大学),杉本昂大(早稲田大学),小林正和(早稲田大学)

著者名(英語): Su Nan (Waseda University),Kaito Tsuboi (Waseda University),Shotaro Kobayashi (Waseda University),Kota Sugimoto (Waseda University),Masakazu Kobayashi (Waseda University)

要約(日本語): MBE法によって,GaAs(100)基板上に基板温度と分子線強度比を制御してSnTe薄膜を成長した。作製した試料はXRD θ-2θ測定によって構造解析を行った。本研究では,六方晶Teの混在が薄膜の表面状態と電気伝導特性に与える影響を調査するため,走査電子顕微鏡(SEM)による表面状態の観察とホール効果測定による評価を行った。
六方晶Teが混在しているSnTe薄膜の表面には,Te単体と思われる複数の点状物質がSEM画像により観察され,表面状態が悪化していることが示された。また,ホール効果測定により,表面抵抗率が上がり,電気伝導特性も劣化することが明らかになった。

本誌掲載ページ: 55-57 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 786 Kバイト

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