電界印加エレクトロマイグレーション法によるナノギャップ形成位置制御の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-061

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Investigation of position control of nanogap formation by electromigration method in applied electric field

著者名: 本山弘之（千葉工業大学）,菅洋志（千葉工業大学）,阿部卓也（千葉工業大学）,島久（産業技術総合研究所）,秋永広幸（産業技術総合研究所）,内藤泰久（産業技術総合研究所）

著者名(英語): Hiroyuki Motoyama (Chiba Institute of Technology),Hiroshi Suga (Chiba Institute of Technology),Takuya Abe (Chiba Institute of Technology),Hisashi Shima (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiroyuki Akinaga (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yasuhisa Naitoh (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: ナノギャップ|エレクトロマイグレーション|電界効果|nanogap|electromigration|electric field effect

要約(日本語): ナノギャップ電極は数nmサイズのナノ材料の電気的評価を行うプラットフォームとして利用されており，金属細線を通電により破断することで，ナノ材料と同程度の幅のギャップを形成する，electromigration（EM）法がよく利用されている。しかし，形成されるギャップ位置はランダムであり，多端子構造など複雑な構造への展開が困難であった。本研究では，新たに外部電圧を印加したEM法を考案し，ギャップ形成位置の誘導を実現した。通常電界の分布が発生しない金属中を流れる電流が引き起こすEMという物理現象に対して電界効果を発生させる，一見矛盾するような興味深い結果となっている。講演では，これらの結果の詳細とメカニズムの考察について報告を行う。

本誌掲載ページ: 67-69 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 576 Kバイト