弱反転動作を活用したCMOSべき乗変換ICのべき指数値の誤差解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-010

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Error Analysis for Exponentiation Conversion CMOS-IC utilizing Weak Inversion Operation

著者名: 松井文也（東洋大学）,西山直哉（東洋大学）,佐野勇司（東洋大学）

著者名(英語): Fumiya Matsui (Faculty of Science and Engineering, Toyo University),Naoya Nishiyama (Graduate School of Science and Engineering, Toyo University),Yuji Sano (Faculty of Science and Engineering, Toyo University)

キーワード: 信号変換回路|サブスレッショルド|非線形補正|べき乗関数|誤差解析|Signal conversion circuit|Subthreshold|Nonlinearity compensation|Exponentiation function|Error analysis

要約(日本語): 入出力デバイスの非線形特性を補正するため，信号変換特性を変更できるアナログべき乗変換ICの開発を進めてきた。本論文においては，試作したべき乗変換ICの特性の実測誤差を理論解析した。実測値の誤差がペアMOSFETのゲート・ソース間電圧のバラツキで最大70mV，S値で最大5.63mV/decとなり，試作ICとしては十分にとり得る値に収まっていることを確認した。今後は，今回の解析結果を踏まえて，素子バラツキの影響の小さい（素子感度の低い）ICの開発を目指していく。

本誌掲載ページ: 11-13 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 642 Kバイト