単層グラフェンのCMOSチップ上集積化に関する基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-113

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Study on Integration of Single-Layer Graphene onto CMOS Chip

著者名: 光石幹（東京工業大学）,横式康史（東京工業大学）,德田崇（東京工業大学）,永田駿一郎（青山学院大学）,渡辺剛志（青山学院大学）,黄晋二（青山学院大学）

著者名(英語): Motoki Mitsuishi (Tokyo Institute of Technology),Takahumi Yokoshiki (Tokyo Institute of Technology),Takashi Tokuda (Tokyo Institute of Technology),Shunichiro Nagata (Aoyama Gakuin University),Takeshi Watanabe (Aoyama Gakuin University),Shinji Koh (Aoyama Gakuin University)

キーワード: 単層グラフェン|CMOS|センサ|Single-layer Graphene|CMOS|Sensors

要約(日本語): グラフェンは移動度の高さ，外部環境や吸着分子による鋭敏な特性変化などの特徴からセンサとして使用されることが期待されている。我々はグラフェンをCMOS集積回路センサ上に集積することで，ヘルスケアや環境センシング等に利用できる新しいセンサ技術の開発を目指している。今回，CMOS集積回路上への単層グラフェンの集積化について基礎検討を行うため，性能評価用CMOSチップを設計・試作し，単層グラフェンとCMOSチップの集積について基礎検討を行った。その結果，CMOSチップでの計測では，電極アレイでの接触抵抗率の最小値は50Ωmmとなった。この結果はCMOSチップ上電極の絶縁膜除去領域の境界に存在する凸構造が接触形態に影響を与えているためと推測される。良好な接触を実現するための構造及びプロセスについて今後検討を進める。

本誌掲載ページ: 186-187 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 436 Kバイト