走査型プローブ顕微鏡を用いたパワーデバイス内部構造の比較および内部状態変化の観測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-001

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Observation of Comparison of Internal States in Power Semiconductor Devices Using Scanning Probe Microscope

著者名: 土井敦史（千葉工業大学）,松井五月（千葉工業大学）,増田匠（千葉工業大学）,佐藤宣夫（千葉工業大学）,山本秀和（千葉工業大学）

著者名(英語): Atsushi Doi (Chiba Institute of Technology),Satsuki Matsui (Chiba Institute of Technology),Takumi Masuda (Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh (Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto (Chiba Institute of Technology)

キーワード: 走査型プローブ顕微鏡|パワー半導体デバイス|ワイドバンドギャップ半導体|モスフェット|走査型容量原子間力顕微鏡|scanning probe microscope|power semiconductor device|wide bandgap semiconductor|mosfet|scanning capacitance force microscope

要約(日本語): パワー半導体デバイス，低炭素化社会及び省エネルギー化の実現に重要な役割を担うデバイスとして注目を集めている。そのパワー半導体デバイスの高性能化が求められている中，デバイス内部構造が複雑化し，デバイスの評価・解析が困難になるという課題がある。この課題を克服するために，高い空間分解能と高感度検出を可能とする走査型プローブ顕微鏡技術に期待が寄せられている。本実験では，開発した顕微鏡装置を用いて，メーカの違う2つの同耐圧のSiCプレーナ型MOSFETを切削・研磨することでデバイス内部構造を露出させ，電圧印加によるデバイス動作状態下において，表面形状/表面電位/微分容量の同一領域・同時観測を実施した。

本誌掲載ページ: 1-2 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 601 Kバイト