FM-AFM/KFM/SCFMによるプレーナ型SiC製パワーMOSFETのナノスケール観測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-002

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Nanoscale Observation of the planar SiC Power MOSFET by the FM-AFM/KFM/SCFM

著者名: 増田匠（千葉工業大学）,土井敦史（千葉工業大学）,佐藤宣夫（千葉工業大学）,山本秀和（千葉工業大学）

著者名(英語): Takumi Masuda (Chiba Institute of Technology), Atsushi Doi (Chiba Institute of Technology),Satoh Nobuo (Chiba Institute of Technology),Hidekazu Yamamoto (Chiba Institute of Technology)

要約(日本語): パワー半導体デバイスの高性能化に伴い，デバイス内部構造は複雑化し，その評価・解析が困難になる。本研究は，パワー半導体デバイスの1つである SiC 製 MOSFET に電圧印加した状態にて，デバイス内部の構造及び動作現象の可視化技術の確立が目的である。本告では，市販のディスクリートデバイス（プレーナ型 SiC-MOSFET）の切削・研磨により内部露出させ，電圧印加によるデバイス動作状態下にて，表面形状 / 表面電位 / 微分容量の同一領域・同時観測について述べる。

本誌掲載ページ: 2-3 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 708 Kバイト