実測データを用いたパワー半導体デバイスの数値計算モデルの検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-003

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): A Study on Numerical Model of Power Semiconductor Devices Using Measured Data

著者名: 松井五月（千葉工業大学）,増田匠（千葉工業大学）,土井敦史（千葉工業大学）,佐藤宣夫（千葉工業大学）,山本秀和（千葉工業大学）

著者名(英語): Matsui Satsuki,Takumi Masuda,Atsushi Doi,Nobuo Satoh,Hidekazu Yamamoto

要約(日本語): 世界規模でエネルギー消費量は増加の一途であり，エネルギーの生産から輸送，変換に至る過程で高効率化と省エネルギー化が求められている。特に電力変換技術のキーデバイスの1つであるSiC製パワー半導体は，常に性能向上や省エネルギー化が要求されており，デバイス内部構造の改良が盛んに行われている。
ここで内部構造の複雑化により，デバイスの故障事象の解明が困難であり，デバイスの性能限界の見極めも同時に難しくなっている。
本報告では，シミュレーション数値解析によるデバイス内部の動作解析に基き，SiC-DMOSFETの性能限界を報告する。

本誌掲載ページ: 3-4 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 783 Kバイト