TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵SiC MOSFET電気特性のSBD面積依存性解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-004

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Analysis of SBD Area Dependence of Electrical Characteristics in 1.2 kV SBD-embedded SiC MOSFETs Using TCAD Simulations

著者名: 髙橋光希（筑波大学）,柏佳介（筑波大学）,松井ケビン（筑波大学）,矢野裕司（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）

著者名(英語): Mitsuki Takahashi (Tsukuba University),Keisuke Kashiwa (Tsukuba University),Kevin Matsui (Tsukuba University),Hiroshi Yano (Tsukuba University),Noriyuki Iwamuro (Tsukuba University)

キーワード: パワーエレクトロニクス|MOSFET|power electronics|MOSFET

要約(日本語): SiC MOSFETは内蔵ダイオードの順方向電圧特性劣化が課題となっている。この課題解決のため，SBDを内蔵したSiC MOSFETが開発された。
本研究ではSBD面積の大小に着目し，これがSiC MOSFETの電気特性に及ぼす影響を，TCADシミュレーションを駆使して評価・解析した。シミュレーションは，SBD面積が異なる3つの構造を作成し，内蔵JBSダイオードの順方向J-V特性，ターンオン特性，及び負荷短絡特性計算を実施した。
シミュレーションより，SBD面積が大きいと内蔵JBSダイオードがユニポーラ動作を維持しやすくなり，逆回復電流が小さくなることでターンオン損失が減少する一方，負荷短絡時にはSBD部がより高電界強度となり，もれ電流が大きくなるため，負荷短絡耐量は劣化することが判明した。

本誌掲載ページ: 4-6 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 733 Kバイト