GaNデバイスを採用したフライバックコンバータの2.1 MHz動作検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-006

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): A Study on Flyback Converters Using GaN Devices under the 2.1 MHz Switching Operation

著者名: 田村知孝（千葉工業大学）,佐藤宣夫（千葉工業大学）

著者名(英語): Tomoyuki Tamura (Chiba Institute of Technology),Nobuo Satoh (Chiba Institute of Technology)

キーワード: フライバックコンバータ|絶縁型DC-DCコンバータ|MHzスイッチング|GaNデバイス|Flyback Converter|Isolated DC-DC Converter|MHz switching|GaN Devices

要約(日本語): SiCやGaNなどの次世代ワイドバンドギャップ半導体を用いた素子の実用も本格化しており，これらの素子を利用した製品の高機能化に大きく貢献している。さらに，これらのスイッチング素子の改善により，フライバックコンバータをはじめとする電力変換回路では小型軽量化を目的としたスイッチング周波数の高周波化が行われている。本報告では，スイッチング素子にGaNデバイスを採用し，2.1 MHzで動作するフライバックコンバータの設計・製作を行う。さらに，実験により得られた電圧・電流波形及び，周波数に対する電力変換効率の特性について述べる。

本誌掲載ページ: 8-9 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 343 Kバイト