SiC-CMOSゲートドライバ使用時のSiCパワーMOSFETの内部ゲート抵抗と高速スイッチング特性の関係

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-009

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): The relationship between high-speed switching characteristics and internal gate resistance of a SiC power MOSFET when using a SiC-CMOS gate driver

著者名: 八尾惇（産業技術総合研究所）,岡本光央（産業技術総合研究所）,加藤史樹（産業技術総合研究所）,佐藤伸二（産業技術総合研究所）,山口大輝（産業技術総合研究所）,宝蔵寺裕之（産業技術総合研究所）,安藤拓司（産業技術総合研究所）,原田信介（産業技術総合研究所）,佐藤弘（産業技術総合研究所）

著者名(英語): Atsushi Yao (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Mitsuo Okamoto (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Fumiki Kato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Shinji Sato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Daiki Yamaguchi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Hozoji (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Takashi Ando (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Shinsuke Harada (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Sato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))

キーワード: SiC-CMOS|ゲートドライバ|SiC MOSFET|高速スイッチング|ゲート抵抗|SiC-CMOS|gate driver|SiC MOSFET|high-speed switching|gate resistance

要約(日本語): 本研究では，SiC-CMOSゲートドライバを用いた際のSiCパワーMOSFETの内部ゲート抵抗とスイッチング速度を検討した。この検討のために，従来素子と開発した内部ゲート抵抗を低減した素子を比較した。ここでは，内部ゲート抵抗を低減する事により，ターンオン時に120 V/nsの主素子の高速スイッチングを実現した。これは，従来素子を使用した場合（100 V/ns）と比較し，約1.2倍の高速化となった。以上より，主素子の内部ゲート抵抗を下げることにより，SiC-CMOSゲートドライバを用いた際のSiCパワーMOSFETのさらなる高速スイッチング動作が可能なことを明らかにした。

本誌掲載ページ: 13-14 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 512 Kバイト