SiC MOSFETの駆動に自動最適化可能なディジタルアクティブゲートドライバとそのダブルパルス試験における検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-010

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): An Automatically Optimized Digital Active Gate Driver for Driving SiC MOSFETs and Its Verification in Double Pulse Test

著者名: 福永崇平（大阪大学）,高山創（京都大学）,引原隆士（京都大学）

著者名(英語): Shuhei Fukunaga (Osaka University),Hajime Takayama (Kyoto University),Takashi Hikihara (Kyoto University)

キーワード: SiC MOSFET|ディジタルアクティブゲートドライバ|自動最適化|多目的最適化|SiC MOSFET|Digital active gate driver|Automatic optimization|Multiobjective optimization

要約(日本語): SiC MOSFETの高速スイッチング特性を活かして，高電圧電力変換回路の損失を低減できる。しかし，高速なスイッチング動作は，回路基板やパワーデバイスパッケージ内部の寄生インダクタンス等との相互作用による，過大なスイッチングサージ電圧を伴う。著者らのグループは，サージ電圧を抑制するため，ディジタルアクティブゲートドライバ（DAGD）を提案している。本報告では，DAGDのゲート駆動波形の自動最適化手法を提案する。この手法をダブルパルス試験に適用し，実際にSiC MOSFETを駆動するゲート駆動波形が，最適化できることを実証する。

本誌掲載ページ: 14-16 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 637 Kバイト