高速スイッチングに対応したアクティブゲート制御の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-012

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Study of active gate control applicable to high-speed switching

著者名: 佐藤伸二（産業技術総合研究所）,山口大輝（産業技術総合研究所）,八尾惇（産業技術総合研究所）,佐藤弘（産業技術総合研究所）

著者名(英語): Shinji Sato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Daiki Yamaguchi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Atsushi Yao (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Sato (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))

キーワード: SiC-MOSFET|アクティブゲート制御|高速スイッチング|ゲートドライブ|SiC-MOSFET|active gate-control|high-speed switching|gate drive circuit

要約(日本語): SiCやGaNなどのワイドバンドギャップを用いた次世代パワーデバイスの台頭によって高速スイッチングが可能になった。高速スイッチングはスイッチング損失を低減させるので電力変換効率の上昇が期待できるが，サージ電圧の増加による絶縁破壊や制御装置の誤動作が問題となる。サージ電圧を抑制する手段として，ゲート駆動波形をアクティブに制御する手法が提案されている。しかしながら，これらの提案は，比較的遅いスイッチングへの適用であり，10ns以下の高速スイッチングへの適用に至ってない。本報告では市販のゲートドライバを複数用いたアクティブゲート制御を提案する。サージ電圧を抑制し，遅延時間td（off）≒25ns，tf＜10 nsの高速スイッチングを実現した。

本誌掲載ページ: 17-18 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 526 Kバイト