VHDL-AMS を用いた高速・高精度 SiC MOSFET モデルの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-014

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Development of High-Speed and High-Accuracy SiC MOSFET Model using VHDL-AMS

著者名: 黒田尚孝（ローム/名古屋大学）,中村洋平（ローム）,山口敦司（ローム/名古屋大学）,梅上大勝（ローム/名古屋大学）,中原健（ローム）

著者名(英語): Naotaka Kuroda (Nagoya University, Rohm Multi-Scale Power System Simulation Industry-Academia Collaborative Chair),yohei Nakamura (ROHM, Research and Development Center),Atsushi Yamaguchi (Nagoya University, Rohm Multi-Scale Power System Simulation Industry-Academia Collaborative Chair),Hirokatsu Umegami (Nagoya University, Rohm Multi-Scale Power System Simulation Industry-Academia Collaborative Chair),Ken Nakahara (ROHM, Research and Development Center)

キーワード: SiC 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)|ダブルパルス試験|インバータ|SiC Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(MOSFET)|VHDL-AMS|Double pulse test|Inverter

要約(日本語): 本研究ではSiC MOSFETのシミュレーションモデルを，自動車システムシミュレーションの共通言語として提案されているVHDL-AMS言語で記述し，大規模回路の計算で考慮すべき計算速度と計算精度を両立することを試みた。これを実現するため，スイッチング（SW）過渡波形の再現に重要な部分は詳細にモデル化し，その他の部分は簡略化したモデルを提案した。提案モデルを用いてシステムシミュレータ上で，ダブルパルス試験回路とインバータ回路でのSW過渡解析を行い，回路シミュレーションで一般的に用いられるSPICEモデルに対して高速・高精度化が実現できた。

本誌掲載ページ: 20-22 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 807 Kバイト