デバイスシミュレーションによるSiCサージ吸収素子の設計及び電力損失の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-015

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Design of a Silicon Carbide Surge Absorber and Evaluation of Power Loss by Device Simulation

著者名: 望月雅矢（山梨大学）,関口誉斗（山梨大学）,山本真幸（山梨大学）,中山浩二（産業技術総合研究所）,田中保宣（産業技術総合研究所）

著者名(英語): Masaya Mochiduki (University of Yamanashi),Takato Sekiguchi (University of Yamanashi),Masayuki Yamamoto (University of Yamanashi),Koji Nakayama (AIST),Yasunori Tanaka (AIST)

キーワード: アバランシェダイオード|電圧クランプ|サージ吸収|炭化ケイ素|デバイスシミュレーション|avalanche diode|voltage clamp|surge absorption|silicon carbide|device simulation

要約(日本語): 近年，電力変換回路の高周波化に伴い，回路の寄生インダクタンスに起因したサージ電圧の影響が無視できなくなっている。我々はサージ電圧の対策案の一つとして，SiCアバランシェダイオードの導入を検討している。以前の研究では，試作したアバランシェダイオードをスイッチング素子に接続することでサージ電圧の抑制が確認された。また，サージ電圧とダイオードでの電力損失はトレードオフの関係にあることを見出した。そこで，本研究ではダイオードのドリフト層下部に抵抗層を導入することでアバランシェ降伏後のI-V特性の傾きが異なる素子を設計し，サージ電圧と電力損失の関係をシミュレーションによって評価した。

本誌掲載ページ: 22-24 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 742 Kバイト