誤点弧解析のための電圧振動モデルの提案

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-016

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Voltage Oscillation Modeling for False Turn-on Phenomenon Analysis

著者名: 東出稜平（舞鶴工業高等専門学校）,七森公碩（舞鶴工業高等専門学校）

著者名(英語): Ryohei Higashide (National Institute of Technology, Maizuru College),Kimihiro Nanamori (National Institute of Technology, Maizuru College)

キーワード: 誤点弧|電圧振動モデル|GaN|false turn-on|voltage oscillation model|GaN

要約(日本語): GaNデバイスはプリント基板上の寄生成分の影響を受け易く，誤点弧する恐れがある。実機での誤点弧解析は測定機器や配線の寄生成分の影響を受け，測定誤差が発生するためゲート・ソース間容量に印加される電圧の測定を正確に行うことができない。
そこで本稿では，寄生インダクタンスを考慮した等価回路を構築し，ゲート・ソース間容量のみに印加される電圧をより正確に再現可能な電圧振動モデルを提案した。
電圧振動モデルの実機比較結果は，電圧共振周波数は5.27%，ターンオフ後の電圧ピーク値は6.73%の誤差率となった。またソースにインダクタを付加した場合においても，電圧共振周波数は5.18%，ターンオフ後の電圧ピーク値は1.49%の誤差率となり精度の高い再現をすることができた。

本誌掲載ページ: 24-26 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 483 Kバイト