ドリフト層簡易モデル適用による縦型パワーデバイス並列接続の安定性解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-017

グループ名: 【全国大会】令和4年電気学会全国大会論文集

発行日: 2022/03/01

タイトル(英語): Stability Analysis of Parallel Connected Vertical High Voltage Power Devices using Simplified Drift Layer Model

著者名: 海田英俊（富士電機）,木口龍雅（富士電機）,桒原弘行（富士電機）

著者名(英語): Hidetoshi Umida (Fuji Electric Co., Ltd.),Ryoga Kiguchi (Fuji Electric Co., Ltd.),Hiroyuki Kuwahara (Fuji Electric Co., Ltd.)

キーワード: 縦型高圧パワーデバイス|SiC-MOSFET|並列接続|発振|回路モデル|安定性解析|Vertical High Voltage Power Device|SiC-MOSFET|Parallel|Oscillation|Circuit model|Stability Analysis

要約(日本語): 電力変換器高圧大容量化の課題の1つとして高周波発振の抑制がある。大型モジュール構造の高圧素子が並列接続されるケースの発振現象を説明するには，低圧素子の回路モデルは不十分と思われる。そこで，高耐圧縦型SiC-MOSFETのドリフト層動作を可変CRで代表する縦型FETの簡易モデルを構築した。デバイスの並列接続は分岐点から切り出した1素子当たりの微小変化に置換えることができるから，この高周波等価回路に簡易モデルを適用してフィードバック系を構築し，ターンオフ時動作の解析を試みたので報告する。

本誌掲載ページ: 26-28 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 994 Kバイト